#AI 3D
•

HBM之後，HBF來了：3D NAND+TSV+UCIe，512GiB與3.072TB/s重構AI記憶體架構！

🔷不取代HBM，而是擴展HBM：高頻寬Flash將TB級容量進一步推向xPU身邊 🔷模型權重、KV Cache與MoE成為關鍵場景，AI記憶體層級迎來重新劃分 隨著大模型參數規模持續膨脹、Context Length不斷拉長，AI晶片面臨的挑戰已經不只是“算力夠不夠”，Memory Wall正在成為制約GPU/TPU/xPU繼續擴展的重要瓶頸。HBM雖然擁有極高頻寬，但容量擴展壓力越來越突出；傳統NAND容量足夠大，卻又很難滿足AI計算對近端高頻寬資料訪問的需求。正是在這樣的背景下，High Bandwidth Flash（HBF）開始走向台前——它試圖把Flash從傳統記憶體層直接搬到xPU身邊，在HBM與SSD之間建立一個全新的高頻寬、大容量Memory Tier。 這次，小編就帶大家詳細看看這份HBF High-Level Base Die Specification。從3D NAND Stack、Base Die、TSV，到16通道Wide-I/O、UCIe/AXI互連，再到512GiB+容量與最高3.072TB/s目標有效頻寬，HBF正在嘗試用“高平行NAND+先進封裝+Chiplet互連”重新定義Flash的性能邊界。
HBM之後，HBF來了：3D NAND+TSV+UCIe，512GiB與3.072TB/s重構AI記憶體架構！
科技#HBM#HBF#3D NAND
•

上海AI團隊，拿下全球第一

半年融四輪。 一天前（9月8日），瑞典馬爾默的ECCV 2026研討會上，出現一支中國團隊的身影。 來自上海的位元無限，最近聯合武漢大學團隊，憑藉自研Arko系列模型，以96.39分的成績擊敗其餘27支全球隊伍，拿下ECCV 2026 CAD Challenge全球第一。這個分數，是組委會以GPT-5.5最高強度推理模式設定的基準線的近5倍。 但正如大多數人的第一反應：一家乍聽陌生的創業公司，何以登頂全球電腦視覺頂級賽事？
上海AI團隊，拿下全球第一
A股#上海#AI團隊#ECCV 2026
•

中國國產半導體裝置重大突破！3D DRAM刻蝕宣佈突破：沒有EUV也能造先進記憶體

中國半導體裝置龍頭北方華創近日在IEEE期刊發表學術論文，宣佈在3D DRAM製造工藝上取得重大技術突破。 該公司開發出一種創新的兩步循環刻蝕工藝，有望幫助長鑫記憶體繞過EUV光刻機封鎖，推進3D DRAM自主量產。 3D DRAM被視為DRAM技術演進的下一階段，其核心理念是將電晶體從傳統的二維平面微縮轉向三維垂直堆疊，通過層層堆疊電晶體來提高記憶體單元密度。 在西方對華EUV光刻機出口管制持續收緊的背景下，這一技術路線為中國記憶體晶片產業開闢了一條避開光刻壁壘的新路徑。
中國國產半導體裝置重大突破！3D DRAM刻蝕宣佈突破：沒有EUV也能造先進記憶體
科技#3D DRAM#北方華創#長鑫記憶體
•

從BiCS10到HBF：閃迪如何突破AI Memory Wall，重構下一代記憶體架構？

🔷從332層3D NAND、QLC到高頻寬快閃記憶體HBF 🔷閃迪全面佈局AI推理時代下一代記憶體技術 隨著AI算力競爭從訓練逐步走向推理，記憶體正在成為一個越來越關鍵、卻常常被低估的環節。 看完Sandisk這份資料，我最大的感受是：AI正在重新定義NAND Flash的角色。 過去我們談NAND，更多關注的是容量、成本和價格周期，但現在，隨著KV Cache、Agentic AI和大模型推理持續擴張，Flash正在從傳統“記憶體介質”逐步走向AI系統中的關鍵Memory/Storage層。尤其是BiCS10、QLC、CBA以及HBF（High Bandwidth Flash）等新技術的推進，正在把NAND帶入一個全新的技術周期。
從BiCS10到HBF：閃迪如何突破AI Memory Wall，重構下一代記憶體架構？
科技#Sandisk#3D NAND#AI推理
•

那個曾被馬斯克點讚的中國小公司，現在——

使用者只需輸入文字或上傳圖片，在短短幾秒鐘內就可生成直接用於列印、遊戲或電商展示的3D模型，並支援修改、上色、繫結動作等功能，普通人也能完成從創意到成品的完整3D模型創作。在不久前舉行的2026世界人工智慧大會上，AI 3D大模型及世界模型領域的代表性企業VAST的技術探索與產品應用，受到廣泛關注。 這個成立僅3年的公司，目前全球註冊使用者超2000萬，已成為全球領先的通用人工智慧公司，也是海外滲透率最高的國產AI公司之一。與大多數AI創業公司不同，VAST沒有選擇擁擠的大語言模型賽道，而是一頭紮進AI 3D這條稍顯小眾的賽道。而且，它從創始之日起就是一家“天生全球化”的公司。 這個由“95後”甚至“00後”組成創始人團隊的公司，正在書寫中國AI創業與出海的新範式。 Tripo生成的3D模型
那個曾被馬斯克點讚的中國小公司，現在——
科技#VAST#AI生成內容#AI 3D
•

TSV市場與技術趨勢：從HBM儲存堆疊到Chiplet異構整合，開啟AI晶片3D整合革命

🔷摩爾定律放緩後，3D整合成為突破AI晶片算力瓶頸的關鍵路徑 🔷從硅通孔TSV到HBM與Chiplet，揭秘下一代高性能晶片架構革命 當AI大模型、自動駕駛、高性能計算不斷刷新算力需求時，晶片產業正在迎來一場深刻變革。過去幾十年，半導體行業依靠摩爾定律推動電晶體不斷微縮，但隨著先進製程進入瓶頸，單純依靠縮小電晶體尺寸已經越來越難以滿足未來計算需求。 那麼，下一代晶片性能突破的關鍵在哪裡？
TSV市場與技術趨勢：從HBM儲存堆疊到Chiplet異構整合，開啟AI晶片3D整合革命
科技#TSV#3D整合#先進封裝
•

SK海力士發力端側AI記憶體：3D堆疊DRAM開發啟動 佈局未來競爭

近日，記憶體晶片行業迎來重要動態，SK海力士正積極推進一項面向端側人工智慧（AI）領域的新型記憶體技術——3D堆疊DRAM，並已啟動相關工程師的招聘工作，同時與美國客戶攜手開展晶片方案的聯合設計。 3D堆疊DRAM技術的核心創新在於，它將DRAM直接堆疊在邏輯晶片之上。相較於傳統的PoP封裝方式，這種設計能夠大幅縮短晶片之間的連接距離，增加資料傳輸通道的數量。由此帶來的直接效果是頻寬顯著提升、延遲大幅降低，同時還能最佳化功耗表現並提高空間利用率，為端側AI裝置提供更高效的記憶體解決方案。 從SK海力士發佈的招聘資訊中可以發現，該公司目前正在美國聖何塞招募3D堆疊DRAM-on-Logic設計工程師。這些工程師的主要職責是與美國客戶緊密合作，主導相關邏輯晶片的聯合設計工作，以確保新型記憶體技術能夠更好地滿足客戶需求。 業內人士分析指出，SK海力士的這一舉措表明，其已不再侷限於前期的技術儲備階段，而是開始為技術的實際落地應用提前佈局。端側AI裝置對記憶體性能提出了更為嚴苛的要求，隨著生成式AI逐步滲透到智慧型手機、可穿戴裝置、機器人等終端裝置中，本地運行AI模型需要更高頻寬、更低功耗以及更緊湊的晶片方案，傳統的封裝方式已經難以滿足這些日益增長的需求。
美股#SK海力士#端側AI#記憶體技術
•

因HBM短缺，多款中國AI芯推遲量產，3D DRAM成為新希望

結論：絕大多數中國國產AI芯，因為 HBM 短缺，處在樣品階段，無法批次交付！ 過去數年間，行業普遍認為大算力晶片的“卡脖子”主戰場在於晶圓代工（Foundry）與先進封裝（CoWoS類技術）。然而，當國內產業鏈在代工與封裝環節逐步實現自主可控後，真正的瓶頸卻在一個此前被部分人忽視的角落轟然爆發——HBM（高頻寬記憶體）嚴重短缺。 這一短缺不僅撕開了國產算力生態的“隱形傷口”，更直接導致多款備受矚目的國產AI晶片在2026年的大規模量產計畫被迫推遲。 面對傳統HBM賽道的重重封鎖，3D DRAM正作為唯一的破局方案走到台前，承載著國產AI晶片“換道超車”的最終希望。
因HBM短缺，多款中國AI芯推遲量產，3D DRAM成為新希望
科技#中國#AI晶片#3D DRAM